课程笔记
第1章 一天应试地图与公式总表
把电磁场与波期末 Q1-Q4 拆成可执行的复习路线、公式表和固定模板。
2026年6月25日 · 9 分钟阅读 · 电磁场与波
本章对应哪些考试题
本章不讲新理论,只解决一个问题:一天内怎么把电磁场与波复习到能做题。
老师给出的范围可以直接翻译成四套模板:
| 题号 | 你要能做什么 | 最该先看的章节 |
|---|
| Q1 | 全书概念 + 小计算,分离变量法不考;若老师按“全书”严格出题,传输线/波导/Smith chart 也可能作为概念题出现 | 第2–8章概念速记;传输线/波导需另补一页速记 |
| Q2 | 静磁场大题:B,H,M,JM,自感、互感、磁能 | 第6章 |
| Q3 | CH7–CH8:无耗/有耗媒质中平面波传播 | 第7章,第8章前半 |
| Q4 | CH8:电磁波法向入射、反射、透射 | 第8章后半 |
往年题给出的信号很明显:2022–2025 都反复出现高斯定律、边界条件、良导体、极化、法向入射;2026 mock 则几乎就是这次 Q1–Q4 的缩略版。所以本笔记按“会考什么、怎么套模板”组织,而不是按课件从头到尾铺开。
先用人话理解整门课
电磁场与波其实只有四条主线:
- 电荷产生电场:用 ∇⋅D=ρv、高斯定律、电势处理。
- 电流产生磁场:用 ∇×H=J、安培环路定律处理。
- 变化的电场和磁场互相产生:这就是 Maxwell 方程,推出电磁波。
- 电磁波遇到介质边界会反射/透射:用波阻抗和边界条件处理。
考场上真正要做的是识别题型:
- 看到“对称电荷分布” → 高斯定律。
- 看到“界面两侧场量” → 边界条件。
- 看到“同轴线、螺线管、电感” → 安培环路 + 磁能/磁链。
- 看到“给定 E 或 H 的波” → 先判断传播方向,再用右手关系。
- 看到“空气入射到介质” → 先算 η,再算 Γ,τ。
一日复习顺序
0. 先背本章公式表
时间:30–45 分钟。不要一开始就推导。先知道四道题的公式入口。
1. Q1 小题工具箱
时间:2–3 小时。看第2–5章,重点是:
- 散度、旋度、拉普拉斯。
- 高斯定律。
- 静电边界条件。
- 镜像法。
- 恒定电流和电阻。
- 极化判断、电磁势和规范。
2. Q2 静磁场大题
时间:2 小时。看第6章,把同轴线和螺线管模板写熟。
3. Q3 平面波传播
时间:2 小时。看第7章和第8章前半,把无耗媒质、有耗媒质、良导体公式写熟。
4. Q4 反射透射
时间:1.5–2 小时。看第8章后半,重点练反射波磁场方向。
四道题的考场流程
Q1:概念和小计算
- 先判断题型:矢量算子 / 静电高斯 / 边界条件 / 镜像法 / 恒定电流 / 极化或位函数。
- 找对应公式,不要从 Maxwell 方程重新推。
- 最后检查单位、方向、法向定义。
Q2:静磁场大计算
- 先求 H 或 B。
- 再求磁通、磁链或磁能。
- 最后由 L=Ψ/I、M=Ψ21/I1 或 L=2Wm/I2 求自感/互感。
Q3:平面波传播
- 先看指数项判断传播方向。
- 算 η、β、λ;若有损耗,先比较 σ 和 ωε。
- 用叉乘求另一个场,再算平均 Poynting 矢量。
Q4:反射透射
- 先算两侧波阻抗 η1,η2。
- 算 Γ、τ、SWR。
- 写入射、反射、透射总场,特别检查 Hr 的符号。
总符号表
| 符号 | 含义 | 单位 | 最常出现在哪里 |
|---|
| E | 电场强度 | V/m | Q1、Q3、Q4 |
| D | 电通量密度,D=εE | C/m2 | Q1 |
| V 或 φ | 电势 | V | Q1 |
| ρv,ρs,ρl | 体/面/线电荷密度 | C/m3, C/m2, C/m | Q1 |
| J | 自由电流密度 | A/m2 | Q1、Q2 |
| B | 磁感应强度 | T | Q2 |
| H | 磁场强度 | A/m | Q2、Q3、Q4 |
| M | 磁化强度 | A/m | Q2 概念 |
| JM | 体磁化电流密度 | A/m2 | Q2 概念 |
| L,M | 自感、互感 | H | Q2 |
| η | 波阻抗 | Ω | Q3、Q4 |
| α,β,γ | 衰减常数、相位常数、传播常数 | Np/m, rad/m, 1/m | Q3 |
| λ,f,ω | 波长、频率、角频率 | m, Hz, rad/s | Q3、Q4 |
| Γ,τ | 电场反射/透射系数 | 1 | Q4 |
Q1 必背公式表
1. 静电场四件套
D=εE,E=−∇V,ρv=∇⋅D,∇2V=−ρv/ε
考场用法:
- 给 V 求 E:先做负梯度。
- 给 E 求 D:乘 ε。
- 给 D 求电荷密度:做散度。
- 让判断是否满足 Laplace 方程:算 ∇2V 是否为 0。
2. 高斯定律
∮SD⋅dS=Qenc,∇⋅D=ρv
三类对称场最常考:
| 对称 | 结果 |
|---|
| 无限线电荷 ρl | Eρ=ρl/(2περ) |
| 均匀带电球,半径 a | 内部 Er=ρvr/(3ε),外部 Er=ρva3/(3εr2) |
| 同轴线,内半径 a 外半径 b | Eρ=U/[ρln(b/a)],C′=2πε/ln(b/a) |
3. 静电边界条件
设单位法向 n^ 从介质 1 指向介质 2:
n^×(E2−E1)=0,n^⋅(D2−D1)=ρs,free
其中 ρs,free 指自由面电荷密度;介质极化产生的束缚电荷已经通过材料关系处理。
无自由面电荷时:
E1t=E2t,ε1E1n=ε2E2n
4. 镜像法最小模板
点电荷 q 在接地无限导体平面上方距离 h:
- 镜像电荷:q′=−q,位置在平面另一侧距离 h。
- 真实区域电势 = 真电荷 + 镜像电荷的叠加。
- 点电荷受力大小:
F=16πε0h2q2
方向指向导体平面。最常见错误是把距离写成 h,实际真电荷到镜像电荷距离是 2h。
5. 恒定电流
J=σE,∇⋅J=0,p=J⋅E=σE2
常用电阻:
R=σSl,Rcoax=2πσlln(b/a)
径向多层同轴电阻按层串联:
R=i∑2πσilln(ri+1/ri)
Q2 必背公式表:静磁场、电感、磁能
1. 基本关系
B=μ0(H+M),B=μH线性介质
∇×H=J,∇⋅B=0
磁化电流:
JM=∇×M,KM=M×n^
2. 磁边界条件
设 n^ 从介质 1 指向介质 2:
n^⋅(B2−B1)=0,n^×(H2−H1)=Ks
无自由面电流时,Ht 连续;永远有 Bn 连续。
3. 同轴线磁场、电感
理想同轴线,内导体半径 a,外导体内半径 b,中间介质磁导率 μ:
Hϕ=2πρI(a<ρ<b)
单位长度磁能:
Wm′=4πμI2lnab
单位长度电感:
L′=I22Wm′=2πμlnab
4. 螺线管
长螺线管,长度 l,匝数 N,截面积 S:
H=lNI,B=μlNI,L=lμN2S
Q3 必背公式表:平面波传播
1. 无耗媒质
η=μ/ε,β=ωμε,vp=με1,λ=β2π
场方向关系:
H=η1k^×E,E=ηH×k^
平均 Poynting 矢量:
⟨S⟩=21Re(E×H∗)
2. 有耗媒质与良导体
γ=α+jβ=jωμ(σ+jωε)
ηc=σ+jωεjωμ
良导体条件:σ≫ωε。此时:
α≈β≈πfμσ=ωμσ/2,δ=α1=ωμσ2
ηc≈(1+j)2σωμ
Q4 必背公式表:法向入射反射透射
介质 1 入射到介质 2:
Γ=EiEr=η2+η1η2−η1,τ=EiEt=1+Γ=η1+η22η2
驻波比:
SWR=1−∣Γ∣1+∣Γ∣
若空气入射到 μr=1,εr=4 的无耗介质:
η2=2η0,Γ=−31,τ=32,SWR=2
反射波磁场方向不要背符号,用这一条算:
H=η1k^×E
高频模板索引
| 模板 | 关键词 | 去哪里看 |
|---|
| 高斯定律求场 | 无限线电荷、球/柱对称、同轴电容 | 第3章 |
| 静电边界条件 | 两介质交界、已知一侧 E 求另一侧 | 第3章 |
| 算子小题 | 散度、旋度、拉普拉斯、Stokes | 第2章 |
| 镜像法 | 接地导体平面、点电荷受力 | 第4章 |
| 恒定电流电阻 | J=σE、同轴电阻、多层介质 | 第5章 |
| 同轴线电感 | Hϕ、磁能、电感 | 第6章 |
| 螺线管互感 | 磁通、磁链、自感、互感 | 第6章 |
| 无耗平面波 | 给 E 求 H,求 f,λ | 第8章 |
| 良导体传播 | 皮肤深度、衰减常数、复波阻抗 | 第8章 |
| 法向入射 | Γ,τ,SWR、反射透射场 | 第8章 |
往年题型证据
不用死记年份,但要知道这些模板确实反复出现:
- 高斯定律、静电边界条件:2022–2025 多年 Q1/Q2/Q3 都出现。
- 算子、Stokes、散度定理:2022 Q1、2023 Q1/Q2、2024 Q1/Q3、2025 Q2。
- 同轴线磁场/电感:2022 Q9、2025 Q4、mock 2026 Q2。
- 螺线管自感/互感:2023 Q3、2024 Q4。
- 良导体传播:2022 Q6、2023 Q5、2024 Q6、2025 Q6。
- 平面波 E/H 互求:2022 Q10、2025 Q7、mock 2026 Q3。
- 极化判断:2022 Q5、2023 Q6、2024 Q7、2025 Q7、mock 2026 Q1。
- 法向入射反射透射:2022 Q7、2023 Q7、2024 Q7、mock 2026 Q4。
自测题与答案
题 1:空气到 εr=4 介质,μr=1,求 η2,Γ,τ,SWR。
答案:
η2=μ0/(4ε0)=2η0
Γ=η2+η0η2−η0=η0/2+η0η0/2−η0=−31
τ=1+Γ=32,SWR=1−1/31+1/3=2
题 2:同轴线中 a<ρ<b,为什么 Hϕ=I/(2πρ)?
答案:选半径为 ρ 的圆形安培回路。对称性说明 H 沿 ϕ 方向且大小恒定:
∮H⋅dl=Hϕ(2πρ)=I
所以 Hϕ=I/(2πρ)。方向由右手定则确定。
题 3:为什么平均 Poynting 矢量有 1/2?
答案:本笔记用相量峰值表示。若瞬时场是 E0cos(ωt−βz),平均平方值是峰值平方的一半,所以相量计算中平均功率密度为
⟨S⟩=21Re(E×H∗)
如果题目明确给的是 RMS 值,就不再乘 1/2。考试通常给相量峰值,默认用上式。
一页考前速记
- Q1:先判断是“算子 / 高斯 / 边界 / 镜像 / 电阻 / 极化”。不要把所有章节混在一起;若老师按“全书”严格覆盖,传输线、Smith chart、矩形波导至少要会基本定义和参数含义,本轮正文未展开这些低优先概念。
- Q2:同轴线和螺线管最重要;电感用 L=2W/I2 或 L=NΦ/I。
- Q3:平面波先看指数项判断传播方向,再用 H=(1/η)k^×E。
- Q4:先算 η1,η2,再算 Γ,τ;反射波磁场方向必须用叉乘。
- 分离变量法本轮不考,不要在最后一天投入大量时间。