先讲清楚
二极管(diode)可以近似看成自动开关:正向(forward)偏置时导通,反向(reverse)偏置时关断。整流器(rectifier)就是利用这个单向导通,把交流变成同一方向的电压或电流。
考试里不要一上来背公式。先看两件事:
- 哪些二极管在这个半周导通?
- 关断的二极管两端会承受多大反向电压?
第一个问题决定输出波形,第二个问题决定反向峰值电压(PIV)。
输入先转峰值(peak)
题目给 RMS 时:
V^=2Vrms
题目写成 vs(t)=10sin(100πt) 时,10 已经是峰值,不要再乘 2。
三种整流器
| 拓扑 | 每周期输出脉冲 | 每次导通二极管 | 纹波(ripple)频率 | 常见 PIV |
|---|
| 半波(half-wave) | 1 个 | 1 个 | fline | 无电容约 V^,有电容可到 2V^ |
| 中心抽头全波(centre-tapped full-wave) | 2 个 | 1 个 | 2fline | 2V^half |
| 桥式整流器(bridge rectifier) | 2 个 | 2 个 | 2fline | V^ |
桥式的缺点是导通路径有两个二极管压降(drop)。中心抽头的缺点是需要中心抽头绕组,而且 PIV 高。
输出电压怎么画(2022Q2+2023Q1e+2024Q1e+2025Q1e+2025Q2ab 型,必考)
考试必考画波形(10 分级别),下面先看图理解特征,再按步骤画。

波形特征:
- 正半周(0∼π):输出跟随输入正弦,但扣掉一个 Vf,峰值为 V^−Vf
- 负半周(π∼2π):二极管反偏,输出为 0
- 结果是”半馒头”形状,每完整周期只有一个脉冲
- 纹波频率 = fline
分步标注指南:
- 画坐标轴,横轴标 θ(或 t),纵轴标 v
- 先用虚线画出原始正弦波 vs=V^sinθ 作为参考
- 0∼π 区间:在正弦下方画输出曲线(比正弦低 Vf),起点在 θ=0 时为 0,上升到 θ=π/2 时为峰值 V^−Vf,回到 θ=π 时为 0
- π∼2π 区间:输出画在 0 线上(水平直线)
- 用虚线标出峰值 V^−Vf 的水平线和纵轴的箭头
- 在 θ=π/2 处标注”峰值 = V^−Vf”
- 标注导通区间”0∼π,D 正向偏置”
- 标注关断区间”π∼2π,D 反向偏置”
- 横轴标 π、2π(或对应时间)

波形特征:
- 正半周和负半周都”翻上来”——相当于取绝对值 ∣vs∣
- 每个半周扣掉两个 Vf(导通路径上有 2 个二极管)
- 峰值为 V^−2Vf
- 每半个周期一个脉冲,共 2 个脉冲/周期
- 纹波频率 = 2fline
分步标注指南:
- 画坐标轴,横轴标 θ,纵轴标 v
- 先用虚线画出原始正弦波 vs=V^sinθ 作为参考
- 0∼π 区间:画正弦的绝对值形状,峰值在 θ=π/2 处,值为 V^−2Vf。这段由 D1、D2 导通
- π∼2π 区间:把原本的负半周”翻上来”,形状与正半周相同。这段由 D3、D4 导通
- 用虚线标峰值 V^−2Vf
- 分别标注两个导通区间和对应的二极管对
- 注意峰值位置有两个(θ=π/2 和 θ=3π/2),都要标

波形特征:
- 两个半绕组的正弦波相位相反(相差 180 度),共用中心抽头参考点
- 正半周:D1 导通,输出跟随上方绕组,扣一个 Vf
- 负半周:D2 导通,输出跟随下方绕组(正值部分),扣一个 Vf
- 结果和桥式一样是全波整流,但每个半周只扣一个 Vf
- 峰值为 V^half−Vf(注意用半边绕组峰值)
- 纹波频率 = 2fline
分步标注指南:
- 画坐标轴,横轴标 θ,纵轴标 v
- 先用不同颜色画出两个半绕组的正弦波(相位相反)作为参考:上方绕组 vupper=V^halfsinθ(正半周在上),下方绕组 vlower=−V^halfsinθ(负半周在上)
- 0∼π 区间:D1 导通,画上方绕组的正值部分,峰值 V^half−Vf
- π∼2π 区间:D2 导通,画下方绕组的正值部分(原负半周翻上来),峰值同样为 V^half−Vf
- 用虚线标峰值 V^half−Vf
- 分别标注”D1 导通(上方绕组)“和”D2 导通(下方绕组)”
- 标注 Vf 偏移量(输出比绕组电压低一个 Vf)
有电容时的波形区别
无电容时输出是”光秃秃的正弦脉冲”(见上面三个图)。有电容时:

- 正弦上升到峰值时,电容充电(跟随正弦)
- 正弦过了峰值开始下降,但电容电压不会跟着降——二极管反偏了
- 电容通过负载缓慢放电,电压呈指数下降
- 下一个正弦脉冲到来时再次充电
- 结果是”锯齿状”波形:快速充电上升、缓慢放电下降
有电容时的标注要点:
- 标注充电区间(二极管导通)和放电区间(二极管关断)
- 用虚线标峰值 V^−Vdrop(Vdrop 取决于二极管数量)
- 用双箭头标纹波幅度 ΔV
- 标注 Vcap,min=V^−Vdrop−ΔV
去电容后的波形画法(2025Q2ab 型)
去电容就是纯整流输出:半波是”半馒头”,桥式/全波是”全馒头”。2025Q2ab 考过这种画法——题目说”画出去电容后的波形”,意思就是忽略电容效果,画纯整流输出。
PIV 是什么
PIV 是二极管关断时承受的最大反向电压。
固定做法:
- 找一只关断二极管。
- 标出它两端电压极性。
- 找 source 的最不利峰值。
- 有电容时,考虑电容电压保持在接近峰值。
- 写出每只二极管的 PIV。
中心抽头题最容易错:V^half 是半边次级(secondary)的峰值。每只二极管的 PIV 常约为 2V^half。
中心抽头 PIV 的 KVL 推导(考试必会,2025Q1e 型)
这是最常考的 PIV 题型之一。考的就是你能不能在图上标出关断二极管两端的电压。
电路结构: 中心抽头变压器有两个次级绕组,每个绕组电压为 V^halfsinθ。两只二极管 D1 和 D2 分别接在两个绕组的外端和负载之间。中心抽头是参考地。
第 1 步:确认导通/关断状态。
在正半周,D1 导通,D2 关断。负半周反过来。
第 2 步:对关断二极管画 KVL 回路。
以正半周为例,D2 关断。D2 的阳极接在下方绕组的外端,阴极通过负载连到 D1 的阳极(即上方绕组外端)。
从 D2 的阴极出发,经过负载回到中心抽头(地),再经下方绕组到 D2 的阳极。此时 D1 导通,把上方绕组的电压”抬”到了输出端。
D2 两端的反向电压:
VD2,reverse=vupper+vlower
在正半周峰值时刻,vupper=V^half,vlower=V^half(两个绕组同时到峰值),所以:
PIV=2V^half
考虑二极管压降 Vf 时: 导通的 D1 上有正向压降 Vf,这意味着 D1 阳极(输出端)比阴极端”少抬了” Vf。但 PIV 看的是关断二极管两端的电压,关断时没有电流流过 D2,D2 上没有正向压降。所以:
PIV=2V^half(PIV 不受 Vf 影响)
但是,Vf 会影响输出峰值:Vout,peak=V^half−Vf。
各拓扑的 PIV 公式(直接背)
| 拓扑 | PIV | 含义 |
|---|
| 半波(无电容) | V^ | 峰值反向 |
| 半波(有电容) | 2V^ | 峰值加电容保持 |
| 桥式 | V^ | 每只二极管反向峰值 |
| 中心抽头 | 2V^half | 两个半绕组峰值叠加 |
V^half 是半边次级绕组的峰值,不是整个次级的峰值。如果题目给的是整个次级的 RMS,则 V^half=2×Vsec,rms/2。
例题 3:中心抽头含 Vf 的 PIV(2025Q1e 型)
已知: 中心抽头整流器,次级电压 80Vrms(整个次级),Vf=0.7V。
(a) 每个半绕组的峰值。
Vsec,rms=80V
半绕组 RMS:
Vhalf,rms=280=40V
半绕组峰值:
V^half=2×40=56.6V
(b) 输出峰值。
Vout,peak=V^half−Vf=56.6−0.7=55.9V
(c) PIV。
PIV=2V^half=2×56.6=113.1V
PIV 不受 Vf 影响。
(d) 二极管峰值电流。
如果负载电阻为 R,峰值电流在输出峰值时刻出现:
Ipeak=RVout,peak
如果没给 R,但给了平均电流 Iavg,可以用 Ipeak≈πIavg/2(全波整流正弦波形的峰值是平均值的 π/2 倍)估算。
半波有电容时 PIV 为什么变成 2V^(2025Q2ab 型,必须理解)
很多人背了”半波有电容 PIV = 2V^“,但不理解为什么。考试变形一下就不会了。下面用 KVL 推一遍。
电路: 半波整流器,输入 vs=V^sinθ,二极管 D,滤波电容 C,负载 R。
关键事实: 有大电容时,电容被充电到接近输入峰值 V^,并在正弦下降期间保持这个电压(放电很慢)。
第 1 步:正半周峰值时刻。
vs 达到峰值 V^,D 导通给 C 充电。电容电压被充到接近 V^(忽略 Vf 时 VC≈V^)。
第 2 步:正半周过后,vs 开始下降。
D 阳极接 vs(在下降),阴极接电容(保持在 V^ 附近)。D 反偏,关断。
第 3 步:负半周峰值时刻(vs=−V^)。
这是 D 承受反向电压最大的时刻。画 KVL 回路:
从 D 阴极出发(电容正端,电压 VC≈V^),经过 D 到 D 阳极(接 vs=−V^):
VD,reverse=VC−vs=V^−(−V^)=2V^
所以:
PIVhalf−wave+cap=2V^
对比无电容的情况: 无电容时,D 阴极没有被电容”钉”在 V^,负半周时阴极电压跟着负载降到接近 0,所以 PIV 只有 V^。有电容后,电容把阴极端”抬”到了 V^,反向电压翻倍。
例题:半波有电容的 PIV 和纹波(2025Q2ab 型)
已知: 半波整流器,vs=10sin(100πt)V,Vf=1V,大电容滤波,Iload=0.5A,C=1000μF。
(a) 求输出纹波。
半波纹波频率 fripple=fline=50Hz:
ΔV=fripple⋅CIload=50×1000×10−60.5=0.050.5=10V
注意:V^=10V,纹波也是 10V——这意味着电容在正弦波谷时电压几乎降到 0,电容太小了,电路不在正常工作状态。考试中如果算出纹波接近或超过峰值,要指出”电容不足”。
(b) 求 PIV。
PIV=2V^−Vf=2×10−1=19V
这里扣掉 Vf 是因为导通期间二极管上确实有 Vf 压降,电容实际被充到 V^−Vf,所以 VC=V^−Vf,PIV =VC+V^=2V^−Vf。
(c) 画去电容后的输出波形。
去电容后就是纯半波整流输出:正半周跟随正弦(扣 Vf),负半周为 0。波形是”半馒头”,峰值 =10−1=9V,频率 50Hz。
例题 1:桥式整流器 PIV
次级电压是 20Vrms,桥式整流器(bridge rectifier),忽略二极管压降。求每只二极管的 PIV。
先转峰值:
V^=2×20=28.3V
桥式整流器中每只二极管的 PIV 约为一个次级峰值:
PIV≈28.3V
实际选型要留 margin,例如选 50 V 或更高耐压值的二极管。
整流输出的 RMS 和平均值公式
考试经常问整流输出的 RMS 和平均值。不查表的话,从积分推:
半波整流正弦(无电容)
输出 vo=V^sinθ,0≤θ≤π,其余为 0。完整周期 2π。
平均值:
Vavg=2π1∫0πV^sinθdθ=2πV^[−cosθ]0π=2πV^(1+1)=πV^
RMS:
Vrms=2π1∫0πV^2sin2θdθ=2πV^2⋅2π=2V^
全波/桥式整流正弦(无电容)
输出 vo=∣V^sinθ∣,完整周期 π(或 2π 内两个脉冲)。
平均值:
Vavg=π1∫0πV^sinθdθ=π2V^
RMS: 取绝对值不改变 RMS((∣v∣)2=v2),所以:
Vrms=2V^
和原始正弦的 RMS 相同。
必背速查
| 整流类型 | 平均值 Vavg | RMS Vrms |
|---|
| 半波(无电容) | V^/π | V^/2 |
| 全波/桥式(无电容) | 2V^/π | V^/2 |
有电容时: RMS 和平均值都趋近 V^(纹波越小越接近),不能用上面的公式。有电容的近似:Vavg≈V^−ΔV/2,Vrms≈V^−ΔV/2(对称三角纹波近似)。
电容平滑(capacitor smoothing)
没有电容(capacitor)时,整流输出是脉动的。有电容时,输入到峰值附近二极管导通,电容充电;峰值过后二极管关断,负载(load)从电容取电,电容电压慢慢下降。

纹波(ripple)近似:
ΔV≈CIloadΔt
如果没有给导通角(conduction angle),可以用:
ΔV≈frippleCIload
半波的 fripple=fline。全波和桥式的 fripple=2fline。
例题 2:纹波
桥式整流器,线路频率 50Hz,负载电流 0.2A,电容 1000μF。估算纹波。
桥式是全波:
fripple=100Hz
电容:
C=1000μF=1000×10−6F
纹波:
ΔV≈100×1000×10−60.2=2V
变压器变比与次级电压(2024Q1e 型,考试必用)
考试经常给初级电压和变压器变比(turns ratio),要求算次级电压。很多人在这一步丢分。
基本关系
变压器匝比(turns ratio):
VsecondaryVprimary=NsNp
所以:
Vsecondary=Vprimary×NpNs
固定做法
第 1 步:确认给的是 RMS 还是峰值。 题目写 170sin(100πt) 时,170 是峰值。写 120Vrms 时,120 是 RMS。
第 2 步:用变比算次级。 如果初级是 RMS,次级也是 RMS。如果初级是峰值,次级也是峰值。
第 3 步:中心抽头时,半边绕组 = 次级/2。 题目给的是整个次级电压时,每只二极管看的半边绕组电压是次级的一半。
例题:初级到次级(2024Q1e 型)
已知: 中心抽头整流器,初级电压 170sin(100πt)V(峰值),变比 Np/Ns=2。
求次级峰值和半边绕组峰值。
次级峰值:
V^sec=170×21=85V
半边绕组峰值:
V^half=285=42.5V
输出峰值(忽略 Vf)=42.5V。
PIV =2×42.5=85V。
易错点: 中心抽头的 PIV 用半边绕组峰值 V^half,不是整个次级峰值 V^sec。如果题目给的是次级 RMS,要先乘 2 转峰值,再除以 2 得半边峰值。
稳压电源题(regulated supply)
这类题把变压器(transformer)、桥式、电容、线性稳压器(regulator)放在一起考。
先从稳压器往前推:
- 稳压器输入最低点必须高于输出加压差(dropout):
Vcap,min≥Vout+Vdropout
- 电容峰值要比最低点高一个纹波:
Vcap,peak≈Vcap,min+ΔV
- 桥式前次级峰值要再加两个二极管压降:
V^sec≈Vcap,peak+2VF
- 峰值转 RMS:
Vsec,rms=2V^sec
- 变压器 VA 用 RMS:
VA=Vsec,rmsIsec,rms
若题目给 current form factor:
Isec,rms=FF⋅Idc
电容增大对电路的影响(2022Q2d 型,5 分定性分析)
这是考试反复考的定性分析题。问法通常是”电容 Cs 增大,对以下参数有什么影响?“
分析思路
电容大 → 充放电慢 → 电压下降少 → 纹波小。但二极管导通时间变短(导通角变小),导致电流在更短的时间内流出更大的峰值。
定性分析表(直接背,考试直接抄)
| 参数 | C 增大时 | 原因 |
|---|
| 纹波电压 ΔV | 减小 | ΔV≈Iload/(frippleC),C 越大纹波越小 |
| 导通角 θc | 减小 | 电容电压保持在接近峰值的时间更长,二极管只在峰值附近很短的区间导通 |
| Form Factor (FF) | 增大 | 导通角小 → 电流波形更”尖” → RMS/平均值之比增大 |
| 变压器 VA | 增大 | 电流波形更尖意味着 RMS 电流更大(相同直流功率下),需要更大的变压器容量 |
| 输出平均电压 Vdc | 略微增大(趋近峰值) | 纹波小了,最低点抬高,平均值略升 |
| 二极管峰值电流 | 增大 | 同样的平均电流要在更短的导通时间内通过,峰值必须更大 |
| 二极管导通损耗 | 基本不变 | 导通损耗 =VFIavg,平均电流不变时损耗不变(但峰值电流变大可能影响器件选型) |
| 输出纹波频率 | 不变 | 纹波频率由整流拓扑决定(fline 或 2fline),与 C 无关 |
答题模板(直接抄)
当滤波电容 Cs 增大时:
- 纹波电压 ΔV 减小,因为 ΔV≈Iload/(frippleCs)。
- 导通角 θc 减小,因为电容电压保持在峰值附近更长时间,二极管只在很窄的区间导通。
- 电流波形因数(form factor)增大,因为电流波形变得更尖、导通时间更短。
- 变压器 VA 需求增大,因为 RMS 电流增大(相同直流输出功率下)。
- 二极管峰值电流增大,因为同样的平均电流要在更短时间内通过。
理解”为什么”:导通角变小的直觉
没有电容时,二极管在整个正半周都导通(180°导通角)。有了电容后,电容电压被充到接近峰值,只有当正弦输入超过电容电压时二极管才导通。电容越大,电压下降越慢,正弦要等更久才能超过电容电压,所以导通窗口变窄。
想象一个水池(电容)接水龙头(二极管)和放水口(负载)。水池越大,放水时水位下降越慢,水龙头只在水位最低的那一小会儿才打开补水。
三种整流器完整对比表(考试答题用)
这是考试对比题(“比较三种整流器优缺点”)和计算题都需要的参考表。比前面的简表更详细。
| 比较项 | 半波 (half-wave) | 桥式 (bridge) | 中心抽头 (centre-tapped) |
|---|
| 二极管数量 | 1 | 4 | 2 |
| 每周期输出脉冲 | 1 个 | 2 个 | 2 个 |
| 纹波频率 | fline | 2fline | 2fline |
| 导通路径压降 | 1×VF | 2×VF | 1×VF |
| PIV | V^(无 C)/ 2V^(有 C) | V^ | 2V^half |
| 输出峰值 | V^−VF | V^−2VF | V^half−VF |
| 平均输出电压 | V^/π | 2V^/π | 2V^half/π |
| 变压器利用率 | 低 | 高 | 中(需要中心抽头) |
| 变压器直流磁化 | 有(次级单向电流) | 无(正负半周平衡) | 无 |
| 适用场合 | 低成本小功率 | 最常用,中大功率 | 需要少压降时 |
优缺点答题模板(考试直接抄)
半波整流器:
- 优点:结构最简单,只用一个二极管。
- 缺点:输出纹波大(纹波频率等于线路频率),变压器利用率低,有直流磁化分量。
桥式整流器:
- 优点:纹波频率是线路频率的 2 倍(容易滤波),变压器利用率高,无直流磁化。
- 缺点:导通路径有两个二极管压降(输出峰值少 2VF),需要 4 个二极管。
中心抽头整流器:
- 优点:导通路径只有一个二极管压降,纹波频率是线路频率的 2 倍。
- 缺点:需要带中心抽头的变压器,PIV 高(2V^half),变压器利用率不如桥式。
稳压电源完整例题(模拟 2024Q2,25 分)
这道题把稳压电源设计的全部步骤串起来。考试就是考这套路。
已知
线性稳压电源:输入 110Vrms(±8% 波动),60Hz。稳压器输出 5V,输出电流 1A,稳压器压差(dropout)2V,效率 η=90%,桥式整流器,Vf=1V,电流波形因数 FF=2.7,滤波电容 C=10mF。
(a) 求最小次级电压(7 分)
从输出往前反推——这是固定做法。
第 1 步:稳压器输入最低电压。
稳压器正常工作要求输入端电压不低于输出电压加压差:
Vin,min≥Vout+Vdropout=5+2=7V
第 2 步:电容最低电压。
电容最低电压就是稳压器的输入最低电压:
Vcap,min=Vin,min=7V
第 3 步:电容纹波。
桥式整流器,fripple=2×60=120Hz,负载电流 Iload=1A:
ΔV=fripple⋅CIload=120×10×10−31=1.21=0.833V
第 4 步:电容峰值。
Vcap,peak=Vcap,min+ΔV=7+0.833=7.833V
第 5 步:次级峰值。
桥式整流器有两个二极管压降:
V^sec=Vcap,peak+2Vf=7.833+2×1=9.833V
第 6 步:次级 RMS(正常电压下)。
Vsec,rms,normal=2V^sec=1.4149.833=6.95V
第 7 步:考虑电网最低电压。
电网波动 −8% 时,实际输入降为 110×0.92=101.2V。变压器变比固定,所以次级也按比例下降。为了在最低电压下仍满足要求,正常电压时的次级 RMS 必须留出 8% 的余量:
Vsec,rms,min=0.92Vsec,rms,normal=0.926.95=7.56V
如果题目还给变压器 regulation: 设 regulation =7%,意味着负载时次级电压比空载低 7%。那还要再除以 (1−0.07):
Vsec,rms,required=1−0.077.56=0.937.56=8.13V
答案:最小次级 RMS 电压约 8.1V。
(b) 求稳压器功耗(4 分)
核心公式:
线性稳压器(regulator)的工作原理是把多余的电压”吃掉”——通过内部晶体管的等效电阻把压差变成热量。所以稳压器功耗就是压差乘以流过的电流:
Preg=(Vin,reg−Vout)×Iload
其中 Vin,reg 是稳压器输入端(即电容两端)的电压,Vout 是稳压器输出电压,Iload 是负载电流。
为什么功耗 = 热耗散? 线性稳压器是串联型的——输入电流基本等于输出电流(忽略静态电流),多余的能量全部以热量形式消耗在稳压器内部的调整管上。输入功率 Pin=Vin,reg×Iload,输出功率 Pout=Vout×Iload,两者之差就是功耗:
Preg=Pin−Pout=(Vin,reg−Vout)×Iload
这些能量不能被回收,全部变成热量,所以功耗 = 热耗散(heat dissipation)。
为什么取最坏情况(电网最高电压)?
稳压器功耗取决于压差 (Vin,reg−Vout)。Vout 固定为 5V,Iload 固定为 1A。当电网电压升高时,次级电压升高,电容电压升高,压差变大,功耗变大。所以最大功耗出现在电网电压最高的时候(+8%)。注意这和(a)问取最低电压相反——两个最坏情况不同时。
完整数值推导:
第 1 步:电网 +8% 时的次级 RMS。
正常次级 RMS 为 7.56V(已考虑 regulation,见(a)问),电网 +8% 时按比例升高:
Vsec,rms=7.56×1.08=8.16V
第 2 步:次级峰值。
V^sec=2×8.16=11.54V
第 3 步:电容峰值(桥式扣两个 Vf)。
Vcap,peak=V^sec−2Vf=11.54−2×1=9.54V
第 4 步:电容最低电压(扣除纹波)。
纹波 ΔV=0.833V(和(a)问相同,因为 Iload 和 C 不变):
Vcap,min=Vcap,peak−ΔV=9.54−0.833=8.71V
第 5 步:稳压器输入电压。
电容最低电压就是稳压器的输入最低电压(但功耗用平均值更准确;这里简化为用最低点估算最大功耗——保守取最坏情况):
Vin,reg=Vcap,min=8.71V
第 6 步:代入功耗公式。
Preg=(Vin,reg−Vout)×Iload=(8.71−5)×1=3.71W
考试写法: 先写公式 Preg=(Vin,reg−Vout)×Iload,说明最坏情况取电网最高(+8%),代入 Vin,reg=8.71V,Vout=5V,Iload=1A,得到 Preg=3.71W。每步都写清楚就满分。
简化估算(若不做精确计算): 直接用电容平均电压减输出电压再乘电流。Vcap,avg≈Vcap,min+ΔV/2≈8.71+0.42=9.13V,Preg≈(9.13−5)×1=4.13W。两种方法结果在同一量级,考试用精确值。
(c) 求电容耐压值(3 分)
电容电压额定值(voltage rating)要看最高可能的峰值电压,不是看正常输出直流电压。这道题考的就是你能不能把”电网波动”和”空载峰值”两个因素叠加起来。
完整数值例题:
用本题已知条件:Vprimary=110Vrms,电网波动 ±8%,变压器 regulation =7%,桥式整流器,Vf=1V。前面(a)问已算出正常条件下 Vsec,rms,required=8.13V(满足最低输入要求的设计值)。
第 1 步:找最高次级 RMS。
电网 +8% 时,初级升高,次级按变比升高:
Vsec,rms,max=8.13×1.08=8.78V
第 2 步:考虑空载 regulation。
变压器有 regulation =7%,意味着负载时电压比空载低 7%。反过来,空载时电压比负载高。电容耐压要看空载情况(空载峰值最高):
Vsec,rms,no−load=1−0.07Vsec,rms,max=0.938.78=9.44V
直觉:前面(a)问的设计值 8.13V 已经把 −8% 和 regulation 都考虑进去了(除以 0.92 和 0.93),所以 +8% 和空载就是乘 1.08 再除以 0.93。
第 3 步:求最高次级峰值。
V^sec,max=2×Vsec,rms,no−load=2×9.44=13.35V
第 4 步:求电容两端最高电压。
桥式整流器扣两个 Vf:
Vcap,peak,max=V^sec,max−2Vf=13.35−2×1=11.35V
第 5 步:留安全余量(safety margin),选电容耐压。
实际选型时,电容耐压必须高于最高工作电压,因为:
- 电网瞬态(surge)可能使电压短时超出 ±8%
- 电容老化后耐压会下降
- 温度升高时耐压也会降
工程上通常留 20%∼50% 余量。用 20% 余量(×1.2):
Vrating,min=Vcap,peak,max×1.2=11.35×1.2=13.62V
标准电容耐压值为 6.3V、10V、16V、25V、50V 等。选 ≥13.62V 的最小标准值:
Vrating=16V
如果用更保守的 50% 余量(×1.5):11.35×1.5=17.0V,就要选 25V 的电容。
考试答题模板(直接抄框架):
V^sec,max=2×Vsec,rms×1−7%1+8%
Vcap,peak,max=V^sec,max−2Vf
V_{rating}\ge 1.2\times V_{cap,peak,max}\quad\text{(至少 20% 余量)}
关键:电容耐压看的是最高输入条件下的峰值,不是输出直流电压。 很多考生把 5V 当耐压值选,这是致命错误。电容两端电压接近次级峰值(约十几伏),远大于输出的 5V。
(d) 求 PIV(3 分)
桥式整流器:
PIV=V^sec=2×Vsec,rms
用最高电压情况:
PIV=2×8.13×1.08=12.4V
选型时留余量,选 20V 或更高。
(e) 求变压器 VA(4 分)(2024Q2[25分] 型,3 分)
变压器 VA(伏安容量)用次级绕组的 RMS 电压和次级绕组的 RMS 电流相乘。注意这里的电压是次级(secondary)电压的 RMS,不是初级电压,也不是输出直流电压——很多人在这一步用错电压值。
完整公式:
VA=Vsec,rms×Isec,rms
Vsec,rms 用哪个值?
用次级绕组的 RMS 电压。在本题中,前面(a)问已经算出了满足最低输入条件的 Vsec,rms,required=8.13V。代入时就用这个值(注意不要用初级电压 110V 或输出电压 5V)。
Isec,rms 怎么求?
次级电流的 RMS 不等于负载直流电流 Idc。因为有电容滤波时,电流波形很”尖”(只在导通角内流过),RMS 比平均值大。题目给了电流波形因数(current form factor) FF,直接用:
Isec,rms=FF×Idc=2.7×1=2.7A
完整代入过程:
VA=Vsec,rms×Isec,rms=8.13×2.7=21.95VA
为什么 Isec,rms 比 Idc 大那么多? 因为电流波形因数 FF=2.7 意味着电流波形很”尖”——二极管只在导通角很小的区间内导通,峰值电流远大于平均电流,导致 RMS 电流是平均值的 2.7 倍。
整道题的反推链路总结
Vout+VdropoutVcap,min+ΔVVcap,peak+2VfV^sec/2Vsec,rms考虑电网波动和regulationVsec,rms,required
考试画这条链路就拿一半分。 每一步公式写清楚,代入数值,最后检查单位。
固定套路
整流器题按这几步:
- 输入 RMS 转峰值
- 判断拓扑:半波 / 桥式 / 中心抽头
- 标导通二极管数和二极管压降
- 画负载(load)电压
- 按关断二极管算 PIV
- 有电容时算纹波或电容值
- 有稳压器时从压差往前反推
画整流输出波形的分步指南(考试必练)
整流器题经常要求”画输出波形”。下面列出速查步骤,详细图解和标注指南见上方”输出电压怎么画”一节。
半波整流器画法(参见上方半波波形图):
- 画一个完整的正弦波(两个半周)
- 正半周:输出跟随正弦,但扣掉一个 Vf(如果有)
- 负半周:输出为 0(二极管反偏)
- 标注峰值 V^−Vf、过零点、π 和 2π
桥式整流器画法(参见上方桥式波形图):
- 画一个完整的正弦波
- 正半周和负半周都”翻上来”——取绝对值
- 每个半周扣掉两个 Vf(因为有两个二极管在导通路径上)
- 结果是每半个周期一个脉冲,频率是输入的 2 倍
- 标注峰值 V^−2Vf
中心抽头整流器画法(参见上方中心抽头波形图):
- 先画两个半绕组的正弦波(相位相反,共用参考点)
- 正半周:D1 导通,输出跟随上方绕组,扣一个 Vf
- 负半周:D2 导通,输出跟随下方绕组的正值部分,扣一个 Vf
- 结果和桥式一样是全波整流,但只扣一个 Vf
- 标注峰值 V^half−Vf
有电容时的波形区别(参见上方电容纹波图):
无电容时输出是”光秃秃的正弦脉冲”。有电容时:
- 正弦上升到峰值时,电容充电(跟随正弦)
- 正弦过了峰值开始下降,但电容电压不会跟着降——二极管反偏了
- 电容通过负载缓慢放电,电压呈指数下降
- 下一个正弦脉冲到来时再次充电
- 结果是”锯齿状”的波形:快速充电上升、缓慢放电下降
去电容(去掉电容)后的波形:就是无电容的正弦脉冲。2025Q2ab 考过这种画法——题目说”画出去电容后的波形”,意思就是忽略电容效果,画纯整流输出。
别丢分
- 桥式每次两个二极管压降。
- 半波 50 Hz 的纹波周期是 20 ms;全波是 10 ms。
- PIV 是反向电压,不是输出平均值。
- 中心抽头的 PIV 用半边绕组峰值判断,且 PIV 不受 Vf 影响。
- μF、mF 要换成 F。
- 电容耐压值(voltage rating)看高压电网 / 空载峰值,不只看输出直流。
- 稳压器功耗的最坏情况在电网电压最高时(压差最大,发热最多)。
- 最小次级电压的最坏情况在电网电压最低时(输入不够,稳压器 dropout)。
- 两个最坏情况不同时——做功耗算用最高电压,做次级电压反推用最低电压。
- 变压器 VA 用次级 RMS 电压(不是初级,不是输出直流),乘以次级 RMS 电流。给 form factor 时 Isec,rms=FF×Idc。
- 画波形时一定要标数值:峰值、过零点、时间轴。光画形状不标数值得不到满分。详见上方”输出电压怎么画”的三张波形图和分步标注指南。
- 变压器变比公式只适用于理想变压器。有 regulation 时次级负载电压比空载低。
- 桥式整流器每个半周有 2 只二极管在导通路径上,每只各有一个 Vf,所以输出峰值要扣 2Vf。中心抽头只扣 1Vf。
- 半波有电容时 PIV = 2V^(或 2V^−Vf),无电容时 PIV = V^。关键区别是电容把阴极端”钉”在峰值附近。
- 整流输出 RMS 公式:半波 =V^/2,全波 =V^/2。这些是无电容的值。有电容时 RMS 接近 V^。
- 稳压电源反推链:Vout → 加 Vdropout → Vcap,min → 加 ΔV → Vcap,peak → 加 2Vf → V^sec → 除 2 → Vsec,rms → 考虑电网波动和 regulation。每步都写公式再代入数值。